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eupec data sheet - Henlito

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM50GP120
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
VRRM
1600
V
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert
RMS forward current per chip
IFRMSM
40
A
Id
50
A
IFSM
500
A
Dauergleichstrom
DC forward current
TC = 80°C
Stoßstrom Grenzwert
tP = 10 ms, T vj =
surge forward current
tP = 10 ms, T vj = 150°C
Grenzlastintegral
tP = 10 ms, T vj =
2
I t - value
25°C
400
A
1250
A2s
800
A2s
VCES
1200
V
IC,nom.
50
A
IC
80
A
ICRM
100
A
Ptot
360
W
VGES
+/- 20V
V
IF
50
A
IFRM
100
A
2
It
1.200
A2s
VCES
1200
V
TC = 80 °C
IC,nom.
25
A
TC = 25 °C
IC
45
A
I2 t
25°C
tP = 10 ms, T vj = 150°C
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Tc = 80 °C
TC = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms,
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
T C = 80 °C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Tc = 80 °C
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I2t - value
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms, TC = 80°C
ICRM
50
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Ptot
230
W
VGES
+/- 20V
V
IF
15
A
IFRM
30
A
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Tc = 80 °C
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
prepared by: Andreas Schulz
date of publication:12.06.2003
approved by: Robert Severin
revision: 6
1(11)
DB-PIM-10.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM50GP120
Modul Isolation/ Module Isolation
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
NTC connected to Baseplate
VISOL
2,5
kV
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
typ.
max.
VF
-
1,05
-
V
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Durchlaßspannung
forward voltage
Tvj = 150°C,
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = 150°C
V(TO)
-
-
0,8
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = 150°C
rT
-
-
6,5
mW
Sperrstrom
reverse current
Tvj = 150°C,
IR
-
3
-
mA
RAA'+CC'
-
4
-
mW
min.
typ.
max.
-
2,2
2,55
V
-
2,5
-
V
VGE(TO)
4,5
5,5
6,5
V
Cies
-
3,3
-
nF
I F = 50 A
V R = 1600 V
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
TC = 25°C
lead resistance, terminals-chip
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
VGE = 15V, Tvj = 25°C,
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
VGE = 15V, Tvj = 125°C,
IC =
50 A
IC =
50 A
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
VCE = VGE,
IC =
2 mA
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz, Tvj = 25°C
VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
VGE = 0V,
Tvj = 25°C, V CE =
1200 V
VGE = 0V,
Tvj =125°C, V CE =
1200 V
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
Tvj = 25°C,
VCE = 0V, VGE =20V, Tvj =25°C
IC = INenn,
V CC =
15 Ohm
15 Ohm
IC = INenn,
600 V
VGE = ±15V, Tvj = 25°C, R G =
15 Ohm
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, R G =
15 Ohm
IC = INenn,
600 V
VGE = ±15V, Tvj = 25°C, R G =
15 Ohm
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, R G =
15 Ohm
IC = INenn,
600 V
V CC =
VGE = ±15V, Tvj = 25°C, R G =
15 Ohm
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, R G =
15 Ohm
IC = INenn,
600 V
V CC =
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, R G =
IC = INenn,
50 nH
V CC =
600 V
LS =
Kurzschlußverhalten
SC Data
15 Ohm
LS =
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, R G =
3,0
500
µA
4,0
-
mA
-
-
300
nA
15 Ohm
td,on
tr
td,off
tf
-
65
-
ns
-
60
-
ns
-
45
-
ns
-
45
-
ns
-
380
-
ns
-
400
-
ns
-
10
-
ns
-
30
-
ns
Eon
-
6,5
-
mWs
Eoff
-
6
-
mWs
ISC
-
300
-
A
50 nH
tP £ 10µs, VGE £ 15V,
RG =
15 Ohm
Tvj£125°C,
VCC =
720 V
dI/dt =
-
600 V
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, R G =
V CC =
ICES
IGES
VGE = ±15V, Tvj = 25°C, R G =
V CC =
VCE sat
4000 A/µs
2(11)
DB-PIM-10.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM50GP120
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Modulinduktivität
stray inductance module
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
TC = 25°C
lead resistance, terminals-chip
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
VGE = 0V, Tvj = 25°C,
IF =
50 A
VGE = 0V, Tvj = 125°C,
IF =
50 A
IF=INenn,
- diF/dt =
VGE = -10V, Tvj = 25°C, V R =
600 V
600 V
- diF/dt =
600 V
VGE = -10V, Tvj = 125°C, V R =
600 V
- diF/dt =
600 V
VGE = -10V, Tvj = 125°C, V R =
600 V
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
VGE = 15V, Tvj = 25°C,
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
VGE = 15V, Tvj = 125°C,
IC =
25,0 A
IC =
25,0 A
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
VCE = VGE,
IC =
1mA
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz, Tvj = 25°C
VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
VGE = 0V, Tvj = 25°C, V CE =
1200 V
VGE = 0V, Tvj = 125°C, V CE =
1200 V
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Tvj = 25°C,
Durchlaßspannung
forward voltage
Tvj = 125°C,
25,0 A
IF =
25,0 A
TC = 25°C
Abweichung von R100
deviation of R100
TC = 100°C, R 100 = 493 W
Verlustleistung
power dissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T1)]
-
-
100
nH
RCC'+EE'
-
7
-
mW
min.
typ.
max.
-
1,75
2,2
V
-
1,7
-
V
VF
IRM
Qr
ERQ
-
75
-
A
-
85
-
A
-
5,5
-
µAs
-
12
-
µAs
-
1,6
-
mWs
-
4
-
mWs
min.
typ.
max.
-
2,2
2,55
V
-
2,5
-
V
VGE(TO)
4,5
5,5
6,5
V
Cies
-
1,5
-
nF
VCE sat
ICES
-
1,5
500
µA
-
2,0
-
mA
-
-
300
nA
min.
typ.
max.
-
2,1
2,4
V
-
2
-
V
min.
typ.
max.
R25
-
5
-
kW
DR/R
-5
5
%
20
mW
IGES
IF =
NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor
Nennwiderstand
rated resistance
LsCE
1600A/µs
VGE = -10V, Tvj = 25°C, V R =
Tvj = 25°C,
max.
1600A/µs
VGE = -10V, Tvj = 25°C, V R =
IF=INenn,
typ.
1600A/µs
VGE = -10V, Tvj = 125°C, V R =
IF=INenn,
min.
VF
P25
B25/50
3375
K
3(11)
DB-PIM-10.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM50GP120
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
RthJC
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
min.
typ.
max.
-
-
0,65
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
-
-
0,35
K/W
K/W
Diode Wechsr./ Diode Inverter
-
-
0,55
K/W
Trans. Bremse/ Trans. Brake
-
-
0,55
K/W
Diode Bremse/ Diode Brake
-
-
1,2
K/W
-
0,04
-
K/W
-
0,02
-
K/W
-
0,04
-
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
lPaste=1W/m*K
thermal resistance, case to heatsink
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
lgrease=1W/m*K
RthCK
Diode Wechsr./ Diode Inverter
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
Top
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
CTI
comperative tracking index
225
M
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
3
Nm
±10%
Gewicht
weight
G
300
g
4(11)
DB-PIM-10.xls
Technische Information / Technical Information
BSM50GP120
IGBT-Module
IGBT-Modules
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
CI
= f (VCE)
Output characteristic Inverter (typical)
VGE = 15 V
100
90
80
Tj = 25°C
70
Tj = 125°C
IC [A]
60
50
40
30
20
10
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
4
4,5
5
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
CI
= f (VCE)
Output characteristic Inverter (typical)
Tvj = 125°C
100
90
VGE = 17V
VGE = 15V
80
VGE = 13V
VGE = 11V
70
VGE = 9V
IC [A]
60
50
40
30
20
10
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
VCE [V]
5(11)
DB-PIM-10.xls
Technische Information / Technical Information
BSM50GP120
IGBT-Module
IGBT-Modules
Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch)
I
C
Transfer characteristic Inverter (typical)
= f (VGE)
VCE = 20 V
100
90
80
70
Tj = 25°C
Tj = 125°C
IC [A]
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
12
14
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch)
Forward characteristic of FWD Inverter (typical)
FI =
f (VF)
100
90
80
70
Tj = 25°C
Tj = 125°C
IF [A]
60
50
40
30
20
10
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
VF [V]
6(11)
DB-PIM-10.xls
Technische Information / Technical Information
BSM50GP120
IGBT-Module
IGBT-Modules
Schaltverluste Wechselr. (typisch)
Eon = f (IC), Eoff = f (IC), Erec = f (IC)
Switching losses Inverter (typical)
Tj = 125°C,
V GE = ±15 V,
VCC =
600 V
RGon = RGoff =
15 Ohm
100
120
18
16
Eon
14
Eoff
Erec
E [mWs]
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
IC [A]
Schaltverluste Wechselr. (typisch)
Switching losses Inverter (typical)
Eon = f (RG), Eoff = f (RG), Erec = f (RG)
Tj = 125°C, V GE = +-15 V ,
I c = Inenn ,
VCC =
600 V
10
9
Eon
Eoff
8
Erec
E [mWs]
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
RG [W]
7(11)
DB-PIM-10.xls
Technische Information / Technical Information
BSM50GP120
IGBT-Module
IGBT-Modules
Transienter Wärmewiderstand Wechselr.
Transient thermal impedance Inverter
ZthJC = f (t)
1
Zth-IGBT
ZthJC [K/W]
Zth-FWD
0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA)
I
C
= f (VCE)
Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA)Tvj = 125°C, VGE = ±15V, RG =
15 Ohm
120
100
80
IC,Modul
IC [A]
IC,Chip
60
40
20
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
VCE [V]
8(11)
DB-PIM-10.xls
Technische Information / Technical Information
BSM50GP120
IGBT-Module
IGBT-Modules
Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch)
CI =
Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical)
f (VCE)
VGE = 15 V
50
45
40
Tj = 25°C
Tj = 125°C
35
IC [A]
30
25
20
15
10
5
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
VCE [V]
Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch)
Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical)
FI
= f (VF)
50
45
40
35
Tj = 25°C
Tj = 125°C
IF [A]
30
25
20
15
10
5
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
VF [V]
9(11)
DB-PIM-10.xls
Technische Information / Technical Information
BSM50GP120
IGBT-Module
IGBT-Modules
Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch)
Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)
FI =
f (VF)
100
90
80
70
Tj = 25°C
IF [A]
60
Tj = 150°C
50
40
30
20
10
0
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
VF [V]
NTC- Temperaturkennlinie (typisch)
R = f (T)
NTC- temperature characteristic (typical)
100000
Rtyp
R[W]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
120
140
160
TC [°C]
10(11)
DB-PIM-10.xls
Technische Information / Technical Information
BSM50GP120
IGBT-Module
IGBT-Modules
Schaltplan/ Circuit diagram
21
8
22
20
1
2
3
23
19
7
14
18
13
24
4
12
9
16
17
5
15
6
NTC
11
10
Gehäuseabmessungen/ Package outlines
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
11(11)
DB-PIM-10.xls
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
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übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen
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Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu
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Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
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- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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