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eupec data sheet - Henlito

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF 400 R 17 KF6C B2
1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2. Generation und softer EmCon Diode
1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft EmCon Diode
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
VCES
1700
V
TC = 80 °C
IC,nom.
400
A
TC = 25 °C
IC
650
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms, TC = 80°C
ICRM
800
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC=25°C, Transistor
Ptot
3,3
kW
VGES
+/- 20V
V
IF
400
A
IFRM
800
A
I2t
45
kA2s
VISOL
4
kV
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
IC = 400A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
VCE sat
IC = 400A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC = 30mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
gate charge
VGE = -15V ... +15V
QG
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cies
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cres
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
ICES
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
VGE(th)
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
prepared by: Alfons Wiesenthal
date of publication: 13.07.2000
approved by: Chr. Lübke; 11.08.2000
revision: 2 (Series)
1(8)
IGES
min.
typ.
max.
-
2,6
3,1
V
-
3,1
3,6
V
4,5
5,5
6,5
V
4,8
-
27
µC
-
nF
1,3
nF
-
0,01
1
mA
-
5
40
mA
-
-
400
nA
FF400R17KF6CB2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF 400 R 17 KF6C B2
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
typ.
max.
-
0,3
-
µs
-
0,3
-
µs
-
0,14
-
µs
-
0,14
-
µs
-
1,1
-
µs
-
1,1
-
µs
-
0,1
-
µs
-
0,11
-
µs
Eon
-
180
-
mWs
Eoff
-
150
-
mWs
ISC
-
1600
-
A
LsCE
-
20
-
nH
RCC´+EE´
-
0,16
-
mΩ
min.
typ.
max.
Transistor / Transistor
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
IC = 400A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 25°C
td,on
VGE = ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 125°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
IC = 400A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 25°C
tr
VGE = ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 125°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
IC = 400A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 25°C
td,off
VGE = ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 125°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
IC = 400A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 25°C
tf
VGE = ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 125°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
Kurzschlußverhalten
SC Data
IC = 400A, VCE = 900V, VGE = 15V
RG = 2,7Ω, Tvj = 125°C, LS = 50nH
IC = 400A, VCE = 900V, VGE = 15V
RG = 3,6Ω, Tvj = 125°C, LS = 50nH
tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 3,6Ω
TVj≤125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt
Modulinduktivität
stray inductance module
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
pro Zweig / per arm
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IF = 400A, VGE = 0V, Tvj = 25°C
VF
IF = 400A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
-
2,1
2,5
V
-
2,1
2,5
V
-
300
-
A
-
370
-
A
-
80
-
µAs
-
145
-
µAs
-
35
-
mWs
-
75
-
mWs
IF = 400A, - diF/dt = 3100A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
IRM
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IF = 400A, - diF/dt = 3100A/µsec
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF = 400A, - diF/dt = 3100A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
Qr
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
2(8)
Erec
FF400R17KF6CB2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF 400 R 17 KF6C B2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
-
-
0,038
-
-
0,068
RthCK
-
0,016
0,008
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
Top
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40
-
125
°C
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Transistor / transistor, DC
RthJC
Diode/Diode, DC
pro Zweig / per arm
pro Modul / per module
dPaste ≤ 100µm / dgrease ≤ 100µm
RthCK
K/W
K/W
K/W
K/W
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Kriechstrecke
creepage distance
15
mm
Luftstrecke
clearance
10
mm
CTI
comperative tracking index
275
M1
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M4
M2
terminals M8
Gewicht
weight
G
5
Nm
2
Nm
8 - 10
Nm
1050
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8)
FF400R17KF6CB2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF 400 R 17 KF6C B2
Ausgangskennlinie (typisch)
Output characteristic (typical)
I C = f (VCE)
VGE = 15V
900
800
Tvj = 25°C
700
Tvj = 125°C
IC [A]
600
500
400
300
200
100
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
4,5
5,0
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
Output characteristic (typical)
I C = f (VCE)
Tvj = 125°C
900
800
vGE = 20V
700
vGE= 15V
vGE = 12V
IC [A]
600
vGE = 10V
vGE = 9V
500
vGE = 8V
400
300
200
100
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
VCE [V]
4(8)
FF400R17KF6CB2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF 400 R 17 KF6C B2
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
I C = f (VGE)
VCE = 20V
900
800
Tj = 25°C
700
Tj = 125°C
IC [A]
600
500
400
300
200
100
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
I F = f (VF)
900
800
Tvj = 25°C
700
Tvj = 125°C
IF [A]
600
500
400
300
200
100
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
VF [V]
5(8)
FF400R17KF6CB2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF 400 R 17 KF6C B2
Schaltverluste (typisch)
Eon = f (IC) , E off = f (IC) , E rec = f (IC)
Rgon = 2,7Ω; Rgoff =3,6 Ω, VCE = 900V, Tj = 125°C
Switching losses (typical)
700
Eoff
600
Eon
Erec
E [mJ]
500
400
300
200
100
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
IC [A]
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
E on = f (RG) , E off = f (RG) , E rec = f (RG)
IC = 400A , VCE = 900V , Tj = 125°C
800
Eoff
700
Eon
Erec
600
E [mJ]
500
400
300
200
100
0
0
4
8
12
16
20
RG [Ω]
6(8)
FF400R17KF6CB2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF 400 R 17 KF6C B2
vorläufige Daten
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
Z thJC = f (t)
preliminary data
0,01
Zth:Diode
Zth:IGBT
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [sec]
i
ri [K/kW] : IGBT
τi [sec] : IGBT
ri [K/kW] : Diode
τi [sec] : Diode
1
2
3
4
3,64
17,97
7,6
8,78
0,003
0,05
0,1
0,95
6,7
36,44
12,44
12,42
0,003
0,045
0,45
0,75
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
Rg = 3,6 Ohm, T vj= 125°C
900
800
700
600
IC [A]
ZthJC
[K / W]
0,1
500
IC,Modul
IC,Chip
400
300
200
100
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
VCE [V]
7 (8)
FF400R17KF6CB2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF 400 R 17 KF6C B2
Äußere Abmessungen / external dimensions
8(8)
FF400R17KF6CB2
Nutzungsbedingungen
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Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
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übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.
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Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in
Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
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Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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