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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F4-75R07W2H3_B51
EasyBRIDGEModulmitCoolMOSundPressFIT/NTC
EasyBRIDGEmodulewithCoolMOSandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
VCES = 650V
IC nom = 75A / ICRM = 150A
TypischeAnwendungen
• SolarAnwendungen
TypicalApplications
• SolarApplications
ElektrischeEigenschaften
• ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V
• NiedrigesVCEsat
ElectricalFeatures
• Increasedblockingvoltagecapabilityto650V
• LowVCEsat
MechanischeEigenschaften
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• IntegrierterNTCTemperaturSensor
• PressFITVerbindungstechnik
MechanicalFeatures
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• PressFITContactTechnology
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:MB
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F4-75R07W2H3_B51
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
VCES
650
V
ICN
75
A
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
37,5
75
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
150
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
250
W
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 37,5 A, VGE = 15 V
IC = 37,5 A, VGE = 15 V
IC = 37,5 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,35
1,40
1,40
1,55
V
V
V
5,80
6,50
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 1,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,80
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
4,70
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,14
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 37,5 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGon = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 37,5 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGon = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 37,5 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGoff = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 37,5 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGoff = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 37,5 A, VCE = 400 V, LS = 20 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1900 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 8,2 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
4,90
0,027
0,027
0,027
µs
µs
µs
0,016
0,017
0,018
µs
µs
µs
0,23
0,27
0,28
µs
µs
µs
0,01
0,02
0,02
µs
µs
µs
Eon
1,10
1,45
1,50
mJ
mJ
mJ
IC = 37,5 A, VCE = 400 V, LS = 20 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 8,2 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,65
1,05
1,15
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 400 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
430
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
preparedby:MB
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
tP ≤ 5 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJC
2
0,55
0,60 K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F4-75R07W2H3_B51
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
0,75
-40
K/W
150
°C
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM 650
V
ImplementierterDurchlassstrom
Implementedforwardcurrent
IFN
50
A
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
IF
37,5
A
IFRM
100
A
I²t
370
330
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
1,70
VF
1,45
1,35
1,30
IF = 37,5 A, - diF/dt = 1900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 400 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
49,0
59,0
63,0
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 37,5 A, - diF/dt = 1900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 400 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
1,90
3,60
4,00
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 37,5 A, - diF/dt = 1900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 400 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
0,50
1,00
1,20
mJ
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
1,00
1,10 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,25
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 37,5 A, VGE = 0 V
IF = 37,5 A, VGE = 0 V
IF = 37,5 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
preparedby:MB
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
3
-40
150
V
V
V
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F4-75R07W2H3_B51
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Bypass-Diode/Bypass-Diode
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM 800
V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
IFRMSM 50
A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
IRMSM 75
A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
800
640
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
3200
2050
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 50 A
VF
0,90
V
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 800 V
IR
0,20
mA
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
RthJC
0,45
0,55 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,45
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
°C
Diode,Hochsetzsteller/Diode,Boost
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 650
V
IF
24
A
IFRM
48
A
I²t
72,0
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,50
1,65
1,85
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 24 A, VGE = 0 V
IF = 24 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 24 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 400 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
IRM
12,5
12,5
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 24 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 400 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Qr
0,30
0,30
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 24 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 400 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec
0,03
0,03
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
RthJC
0,90
1,00 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,95
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:MB
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
4
VF
-40
125
V
V
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F4-75R07W2H3_B51
VorläufigeDaten
PreliminaryData
MOSFET/MOSFET
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Drain-Source-Sperrspannung
Drain-sourcebreakdownvoltage
Drain-Gleichstrom
DCdraincurrent
GepulsterDrainstrom,tplimitiertdurch
Tjmax
Pulseddraincurrent,tplimitedbyTjmax
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Source-Spitzenspannung
Gate-sourcepeakvoltage
Tvj = 25°C
VDSS
650
V
TC = 100°C
TC = 25°C
ID nom
ID
30
50
ID puls 100
A
Ptot
520
W
VGSS
+/-20
V
TC = 25°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Einschaltwiderstand
Drain-sourceonresistance
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Ausgangskapazität
Outputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Drain-Source-Reststrom
Zerogatevoltagedraincurrent
Gate-Source-Reststrom
Gate-sourceleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turnondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turnoffdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
min.
ID = 30 A, VGS = 10 V, Tvj = 25°C
RDS on
ID = 3,30 mA, VDS = VGS, Tvj = 25°C
VGS(th)
2,50
A
A
typ.
max.
38,0
42,0
mΩ
3,00
3,50
V
VGS = 10 V, VDD= 480 V
QG
0,33
µC
Tvj = 25°C
RGint
0,7
Ω
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V
Ciss
8,00
nF
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V
Coss
7,50
nF
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V
Crss
0,80
nF
VDS = 650 V, VGS = 0 V, Tvj = 25°C
IDSS
2,00
µA
VDS = 0 V, VGS = 20 V, Tvj = 25°C
IGSS
100
nA
ID = 30 A, VDS = 400 V
VGS = 10 V
RG = 7,50 Ω
ID = 30 A, VDS = 400 V
VGS = 10 V
RG = 7,50 Ω
ID = 30 A, VDS = 400 V
VGS = 10 V
RG = 7,50 Ω
ID = 30 A, VDS = 400 V
VGS = 10 V
RG = 7,50 Ω
ID = 30 A, VDS = 400 V, Lσ = 25 nH
VGS = 10 V, di/dt = 1600 A/µs (Tvj = 150)
RG = 7,50 Ω
ID = 30 A, VDS = 400 V, Lσ = 25 nH
VGS = 10 V, du/dt = 19500 V/µs (Tvj = 150)
RG = 7,50 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper pro MOS-FET / per MOS-FET
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste = 1 W/(m*K) /λgrease = 1 W/(m*K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
20,0
17,5
16,0
15,0
15,5
16,0
210
220
220
7,50
9,00
9,00
0,32
0,36
0,37
0,08
0,09
0,095
td on
tr
td off
tf
Eon
Eoff
preparedby:MB
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
5
ns
mJ
mJ
0,40 K/W
RthCH
0,40
K/W
-40
min.
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ns
0,35
Revers-Diode/reverse-diode
IS = 50 A, VGS = 0 V
IS = 50 A, VGS = 0 V
IS = 50 A, VGS = 0 V
ns
RthJC
Tvj op
Durchlassspannung
Forwardvoltage
ns
VSD
150
typ.
0,85
0,70
°C
max.
1,30
V
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F4-75R07W2H3_B51
VorläufigeDaten
PreliminaryData
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
5,00
∆R/R
-5
P25
kΩ
5
%
20,0
mW
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
VISOL CTI
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
nH
RCC'+EE'
3,00
mΩ
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
Gewicht
Weight
G
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
6
max.
17
-40
preparedby:MB
typ.
LsCE
Tstg
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
> 200
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
kV
2,5
39
125
°C
80
N
g
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F4-75R07W2H3_B51
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
75
75
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
70
65
60
60
55
55
50
50
45
45
40
40
IC [A]
IC [A]
65
35
35
30
30
25
25
20
20
15
15
10
10
5
5
0
0,0
0,2
0,4
0,6
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
70
0,8
1,0 1,2
VCE [V]
1,4
1,6
1,8
0
2,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
3,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=8.2Ω,RGoff=8.2Ω,VCE=400V
75
4,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
70
65
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
3,5
60
3,0
55
50
2,5
40
E [mJ]
IC [A]
45
35
30
2,0
1,5
25
20
1,0
15
10
0,5
5
0
5
6
7
8
9
0,0
10
VGE [V]
preparedby:MB
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
7
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75
IC [A]
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F4-75R07W2H3_B51
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=37.5A,VCE=400V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
9,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
8,0
ZthJH : IGBT
7,0
1
ZthJH [K/W]
E [mJ]
6,0
5,0
4,0
3,0
0,1
2,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0255 0,1235 0,257 0,894
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
1,0
0,0
0
10
20
30
40
RG [Ω]
50
60
70
0,01
0,001
80
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=8,2Ω,Tvj=150°C
90
IC, Modul
IC, Chip
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
75
Tvj = 25 °C
Tvj = 125 °C
Tvj = 150 °C
70
65
75
60
55
60
50
IF [A]
IC [A]
45
45
40
35
30
30
25
20
15
15
10
5
0
0
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
0
700
preparedby:MB
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
8
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F4-75R07W2H3_B51
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=8.2Ω,VCE=400V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=37.5A,VCE=400V
2,0
1,6
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,8
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,4
1,6
1,2
1,4
1,0
E [mJ]
E [mJ]
1,2
1,0
0,8
0,8
0,6
0,6
0,4
0,4
0,2
0,2
0,0
0
0,0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75
IF [A]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
0
10
20
30
40
RG [Ω]
50
60
70
80
DurchlasskennliniederBypass-Diode(typisch)
forwardcharacteristicofBypass-Diode(typical)
IF=f(VF)
10
100
ZthJH : Diode
Tvj = 25 °C
Tvj = 150 °C
90
80
60
IF [A]
ZthJH [K/W]
70
1
50
40
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,17
0,37 0,72 0,99
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
10
preparedby:MB
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
9
0,0
0,2
0,4
0,6
VF [V]
0,8
1,0
1,2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F4-75R07W2H3_B51
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
DurchlasskennliniederDiode,Hochsetzsteller(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Boost(typical)
IF=f(VF)
SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch)
switchinglossesDiode,Boost(typical)
Erec=f(IF)
RGon=8.2Ω,VCE=400V
48
0,0375
Tvj = 25 °C
Tvj = 125 °C
44
Erec, Tvj = 125°C
40
36
32
0,0250
E [mJ]
IF [A]
28
24
20
16
0,0125
12
8
4
0
0,0
0,4
0,8
1,2
VF [V]
1,6
2,0
2,4
SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch)
switchinglossesDiode,Boost(typical)
Erec=f(RG)
IF=24A,VCE=400V
0,0000
0
6
12
18
24
IF [A]
30
36
42
48
TransienterWärmewiderstandDiode,Hochsetzsteller
transientthermalimpedanceDiode,Boost
ZthJH=f(t)
0,0375
10
Erec, Tvj = 125°C
ZthJH : Diode
1
E [mJ]
ZthJH [K/W]
0,0250
0,0125
0,1
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,15
0,45 0,75 0,5
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,0000
0,0
0,01
0,001
7,5 15,0 22,5 30,0 37,5 45,0 52,5 60,0 67,5 75,0
RG [Ω]
preparedby:MB
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
10
0,01
0,1
t [s]
1
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F4-75R07W2H3_B51
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandMOSFET
transientthermalimpedanceMOSFET
ZthJH=f(t)
AusgangskennlinieMOSFET(typisch)
outputcharacteristicMOSFET(typical)
ID=f(VDS)
Tvj=150°C
1
100
ZthJH: Mosfet
VGS = 20 V
VGS = 10 V
VGS = 8 V
VGS = 6 V
VGS = 5 V
VGS = 4 V
90
80
70
ID [A]
ZthJH [K/W]
60
0,1
50
40
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,06
0,0225 0,06 0,6075
τi[s]:
0,0005 0,005 0,01 0,2
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
10
ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch)
transfercharacteristicMOSFET(typical)
ID=f(VGS)
VDS=10V
0
1
2
3
4
5
6
VDS [V]
7
8
9
10
48
54
60
SchaltverlusteMOSFET(typisch)
switchinglossesMOSFET(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGS=±15V,RGon=7,5Ω,RGoff=7,5Ω,VDS=400V
160
1,50
Tvj = 25 °C
Tvj = 125 °C
Tvj = 150 °C
150
140
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
1,35
130
1,20
120
1,05
110
100
0,90
E [mJ]
ID [A]
90
80
70
0,75
0,60
60
50
0,45
40
0,30
30
20
0,15
10
0
0
1
2
3
4
5
6
VGS [V]
7
8
9
0,00
10
preparedby:MB
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
11
0
6
12
18
24
30 36
IC [A]
42
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F4-75R07W2H3_B51
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteMOSFET(typisch)
switchinglossesMOSFET(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGS=±15V,ID=37.5A,VDS=400V
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
3,0
100000
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150C
Eoff, Tvj = 150C
2,7
2,4
Rtyp
2,1
10000
R[Ω]
E [mJ]
1,8
1,5
1,2
1000
0,9
0,6
0,3
0,0
0,0
100
7,5 15,0 22,5 30,0 37,5 45,0 52,5 60,0 67,5 75,0
RG [Ω]
preparedby:MB
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
12
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F4-75R07W2H3_B51
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
preparedby:MB
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
13
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F4-75R07W2H3_B51
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:MB
dateofpublication:2014-10-15
approvedby:AKDA
revision:2.0
14
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