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Solar Technology & Systems
www.galip-solar.de
Micromorphes Hochleistungsdünnschichtmodul HelioSphera
Die Dünnschichtmodule in Tandemstruktur einer mikrokristallinen und einer amorphen Siliziumschicht des Herstellers
Heliosphera werden in einem der modernsten Werke der Welt hergestellt. Der im Vergleich zu kristallinen Siliziummodulen
außergewöhnliche Leistung wie auch ein verbesserter Temperaturkoeffizient der Module von Heliosphera gewährleisten
besonders hohe Energieerträge unter verschiedensten klimatischen Bedingungen. Sie sind folglich eine besonders zuverlässige
und rentable Investion.
Die Hauptaktivitäten des europäischen Unternehmens ist die Herstellung von Dünnschicht Photovoltaikmodule mit einer
jährlichen Produktionskapazität von 60 MW. Diese hoch-technologische Investition erfordert ein hohes Maß an Forschungs-und
Entwicklungs Arbeit, welche mit verschiedenen europäischen Universitäten und Institutionen durchgeführt wird. Mikromorphe
Module von Heliosphera werden nach den strengsten Qualitätsstandards hergestellt und erbringen ein hohes Maß an Leistung
auch bei Schwachlichtverhältnisse. Das bedeutet für den Anlagebetreiber eine überdurchschnittliche Einspeisung und eine damit
verbundene höhere Anlagenrendite.
Features:
• Hohe Rentabilität der Investition durch höchste Energieeffizienz
• Langfristiger Betrieb und hohe Zuverlässigkeit
• Produktgarantie: 5 Jahre
• Leistungsgarantie: 90% 10 Jahre / 80% 25 Jahre
• Die rahmenlose Bauart verhindert Einstauben oder Verschmutzen
• Hervorragender Wirkungsgrad bei höheren Temperaturen
• Ausgezeichnetes Schwachlichtverhalten
• Minimaler Energieverlust bei Beschattung
• Harmonisches Erscheinungsbild und ästhetisches Design
• Umweltfreundlich dank nicht toxischer Materialien und effizienter Herstellungsverfahren
GALIP GmbH
Otto-Hahn-Str. 20
34253 Lohfelden
Tel: +49 561 95 12 97 - 0
Fax: +49 561 95 12 97 - 20
info@galip-solar.de
www.galip-solar.de
...FÜR DIE ZUKUNFT GERÜSTET
Mikromorphes Solarmodul HELIOSPHERA HS-110/115/120/125
Technische Daten
Die duale Halbleiter-Strukturebene bei mikromorphen Modulen optimiert die Nutzung des Lichtspektrums durch die höhere
Umwandlung des Sonnenlichts in Elektrizität. Die amorphe Schicht maximiert den Einfang des difussen und direkten Lichtstrahles, während die mikrokristalline Schicht den infraroten Teil des Spektrums in Elektrizität umwandelt. Damit erreicht ein
auf mikromorphe Technologie basiertes Modul 50% mehr Effizienz als ein konventionelles amorphes Modul.
Elektrische Kennwerte
Typ
HS-110
HS-115
HS-120
HS-125
Pm(W)
110
115
120
125
(%)
+3%/-3%
+3%/-3%
+3%/-3%
+3%/-3%
Spannung bei Nennleistung
Vmpp(V)
97
98
99
100
Stromstärke bei Nennleistung
Impp (A)
1,14
1,18
1,22
1,25
Leerlaufspannung
Voc (V)
128
129
130
131
Kurzschlussstrom
Isc (A)
1,39
1,42
1,44
1,45
%
7,69
8,04
8,39
8,74
Max. Leistung
Leistungstoleranz
Modulwirkungsgrad
Max. Systemspannung
Vmax
1000 V
Zellart
Tandemzelle aus a-Si und µc-Si
Temperaturkoeffizient
Isc
0,06%/°C
Temperaturkoeffizient
Voc
-0,33%/°C
Temperaturkoeffizient
Pmax
-0,24%/°C
Mechanische Kennwerte
Abmessungen (mm)
1300*1100
Stärke (Ohne Anschlussbox)
6,4 mm
Gewicht
25 kg
Einbettungs- und Versiegelungsmaterial
Poly-Vinyl-Butyral (PVB)
Vorderseite
3,2 mm ferroarmes Weißglas
Hintere Abdeckung
3,2 mm
Anschlussbox
1 x IP65
Kabel
Stärke: 2,5mm²/Länge 800-1000
Steckanschluss
MC-4
Grenzwerte
Temperaturbereich
-40°C bis +85°C
Max. Belastung
2400 N/m²
Die elektrischen Daten gelten bei Standard-Testbedingungen (STC). Einstrahlung 1.000 W/m² mit Lichtspektrum AM
1,5 bei einer Zellentemperatur von 25 °C.
Änderungen der technischen Daten sind ohne vorherige Ankündigung möglich. Die GALIP GmbH trägt keine
Verantwortung für Schäden an Geräten, die anhand von nicht abgesicherten Informationen mit unseren Produkten
bestückt wurden.
Die Spezifikationen können geringfügig abweichen und sind ohne Gewähr.
IEC 61730
IEC 61646
ISO 9001
ISO 14001*
ISO 18001*
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